6W 808nm Chip fuq Submount Diode Laser
Deskrizzjoni
Karatteristiċi
- Qawwa tal-ħruġ ta '6W, wavelength taċ-ċentru ta' 808nm
- C-mount, F-mount disponibbli wkoll
- Koeffiċjent tat-temperatura ta 'wavelength ta' 0.35nm/ grad
- Wisa 'emittent 100um/200um, ċippa fuq pakkett submount
Użu
- Spettroskopija Raman
- Militari / Aerospazjali
- Difiża u sigurtà
- Sors tal-Ippumpjar tal-Laser tal-Fibra
Speċifikazzjonijiet
Nru tal-oġġett:COS808DL6
Isem tal-oġġett: 808nm 6W COS Diode Laser
| Ottiċi | |
| Wavelength taċ-Ċentru | 808nm±10nm |
| Qawwa tal-Ħruġ | 6W |
| Wisa' tal-Emittent | 200um |
| FWHM Assi Mgħaġġel | 35Deg |
| FWHM Assi Bil-mod | 10Deg |
| Elettriku | |
| Limitu Kurrent | 1A |
| Kurrent Operattiv | 7A |
| Vultaġġ Operattiv | 1.65V |
| Termali | |
| Temperatura tat-Test | 25 grad |
| Ħażna | -30 ~ 70 grad |
| Koeffiċjent tat-Temperatura tal-Wavelength | 0.35nm / grad |
Dimensjonijiet
6W 808nm Chip fuq Submount Diode Laser, is-sub-moduli fi ħdan iċ-ċippa huma sub-immuntati u huma kkaratterizzati minn immuntar ta 'fuq, ta' isfel u tal-ġenb.
Huwa importanti li wieħed jinnota li l-emitturi tal-lejżer dajowd huma disponibbli f'wisgħat ta '100/200 μm.
Iċ-ċipep sub-immuntati offruti minn Brandnew Laser huma magħrufa għad-dimensjonijiet eċċezzjonalment kompatti tagħhom.
Biex tiġi żgurata l-aħjar prestazzjoni, dan il-pakkett tad-dijodu tal-lejżer SMD jeħtieġ li jiġi issaldjat sew mas-sink tas-sħana b'lenti tal-assi veloċi.
B'qawwa qawwija tal-ħruġ ta '6W u tul ta' mewġ taċ-ċentru ta '808nm, dan il-pakkett tal-lejżer huwa disponibbli f'konfigurazzjoni C-mount, b'alternattivi bħal F-mount.
Barra minn hekk, il-pakkett għandu koeffiċjent tat-temperatura ta 'wavelength ta' 0.35nm / grad u wisa 'emittent ta' 100μm jew 200μm, li jenfasizza l-versatilità ta 'din it-teknoloġija avvanzata.
It-tags Popolari: 6W 808nm COS Chip On Submount Diode Laser fornituri, manifatturi Ċina, fabbrika, bl-ingrossa, magħmula fiċ-Ċina